1. 研究目的与意义
浮栅型FLASH技术主要应用于可重构的编程逻辑电路、非易失性存储器，其是反熔丝工艺技术的下一代主流技术，其军事应用领域主要是航天和航空领域，包括基于海、陆、空的军用系统、雷达、指挥与控制系统，以及导航系统。
这些应用主要得益于浮栅型FLASH器件的诸多优势，如可重构性（Reconfigurability）、低功耗（low power consumption）、高密度（High-density）、高安全性（High safety）、固件错误 (firm-error) 免疫性等优点。
而随着我国航天、航空、船舶、雷达、战略导弹、电子对抗、通信领域等各大重点工程要求电子系统向多功能、高性能、高可靠、小型化、薄型化、低功耗方向发展，对军用高可靠性、抗辐射非易失的Flash型存储器和可编程逻辑器件需求越为突出。
2. 课题关键问题和重难点
（1）掌握0.13um~45nm浮栅器件分类（沟道、结构、功能等方面分类）、结构、发展概况及其基本工作原理（编程/擦除/读），浮栅型FLASH器件要求至少要覆盖0.13um~45nm工艺节点；（2）理解并掌握单粒子辐射效应的基本概念和原理（SEL\SEU\SEGR\SEB等）；（3）对国内外的0.13um~45nm浮栅型FLASH存储器、带有内置嵌入式FLASH存储模块DSP、MCU、SOC、FPGA等电路总剂量抗辐射能力调研（如TI、ACTEL等公司）；（4）总结、归纳浮栅型FLASH器件总剂量辐射效应基本特性及辐射损伤机理；（5）总结出一些常规业绩在对浮栅型FLASH器件总剂量抗辐射加固基本方法及其效果；（6）实验学习浮栅型FLASH器件基本特性测试方法-编程/擦除/读。
3. 国内外研究现状（文献综述）
浮栅存储器具有容量大、功耗低、速度快、可靠性高的特点 , 且在断电后信息不丢失。
目前被广泛应用于移动设备、手持设备 , 如 iPods 、数码相机和手机应和单粒子效应进行了测试研究, 对辐射引起失效的机理进行了建模 , 但还没有实用的辐射加固技术。
随着工艺特征尺寸的缩小 , 辐射引起的存储单元失效会越来越严重 , 比如离子穿过薄的隧道氧化层产生的漏电路径、数据的保持特性变差等等。
4. 研究方案
1. 首先搜查关于mosfet的论文，理解mosfet的物理特性；2. 对0.13um~45nm的浮栅器件分类（沟道、结构、功能等方面分类）结构、发展概况及其基本工作原理（编程/擦除/读）进行研究；3. 通过查找分析文献，总结单粒子辐射效应的基本概念和原理（SEL\SEU\SEGR\SEB等）；4. 对国内外的0.13um~45nm浮栅型FLASH存储器、带有内置嵌入式FLASH存储模块DSP、MCU、SOC、FPGA等电路总剂量抗辐射能力进行调研（如TI、ACTEL等公司）；5. 总结出一些常规业绩在对浮栅型FLASH器件总剂量抗辐射加固基本方法及其效果；
5. 工作计划
1.时间计划：第1~2周: 文献调研自行在图书馆借阅专业相关书籍，并且上网检索相关数据库查阅论文，做好前期准备工作。
第3~4周，文献梳理将搜集的书籍和网上检索的相关论文分类整理好，归纳梳理；先从大方向研读论文，确定好研究范围，然后细致阅读总结，通过分析，思考缩小方向，确立具体研究内容，然后记录要点，整理论文提纲。
为接下来的论文写作做好准备。
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