1. 本选题研究的目的及意义
肖特基接触作为一种重要的金属-半导体接触结构，在现代电子器件中应用广泛，例如肖特基二极管、场效应晶体管、集成电路等。
肖特基接触的性能直接影响着器件的开关速度、工作频率、功耗等关键参数，因此，深入研究肖特基接触的电学特性对于提升器件性能至关重要。
反向隧穿电流是肖特基接触在反向偏置电压下的一种重要电流机制。
2. 本选题国内外研究状况综述
肖特基接触反向隧穿电流的研究历史悠久，已经取得了丰富的成果。
国内在肖特基接触的制备工艺、性能表征以及理论研究方面取得了显著进展。
例如，中科院半导体所、电子科技大学、西安电子科技大学等单位在肖特基二极管、场效应晶体管等领域进行了深入研究，并在材料生长、器件制备、性能优化等方面取得了一系列突破。
3. 本选题研究的主要内容及写作提纲
1. 主要内容
本研究将从理论和应用两个层面展开，主要内容包括：
1.系统阐述肖特基接触的基本理论，包括金属-半导体接触的能带结构、肖特基势垒的形成机制、电流输运机制等，为后续研究奠定理论基础。
2.深入分析反向隧穿电流的形成机制，介绍几种常用的理论模型，例如热电子发射模型、直接隧穿模型、Fowler-Nordheim隧穿模型等，并比较它们的优缺点和适用范围。
4. 研究的方法与步骤
本研究将采用理论分析、数值模拟和实验验证相结合的研究方法。
首先，通过查阅文献，系统学习肖特基接触和反向隧穿电流的相关理论知识，了解国内外研究现状，明确研究目标和方向。
其次，利用数值模拟软件（例如COMSOL、Silvaco等），构建肖特基接触模型，模拟不同参数条件下（例如温度、掺杂浓度、肖特基势垒高度等）的电流-电压特性，分析反向隧穿电流的变化规律，并深入探讨其物理机制。
5. 研究的创新点
本研究的创新点主要体现在以下几个方面：
1.在理论方面，将尝试构建更精确的肖特基接触反向隧穿电流模型，综合考虑各种影响因素，例如界面态、杂质散射、量子尺寸效应等，以期更准确地描述实际器件中的反向隧穿电流行为。
2.在实验方面，将制备新型材料和结构的肖特基接触，例如二维材料肖特基接触、异质结构肖特基接触等，并研究其反向隧穿电流特性，探索新型肖特基接触的潜在应用。
3.在应用方面，将探索抑制肖特基接触反向隧穿电流的新方法，例如利用新型材料、优化器件结构、改进工艺参数等，为提升电子器件性能提供新的思路和途径。
6. 计划与进度安排
第一阶段 （2024.12~2024.1）确认选题，了解毕业论文的相关步骤。
第二阶段（2024.1~2024.2）查询阅读相关文献，列出提纲
第三阶段（2024.2~2024.3）查询资料，学习相关论文
7. 参考文献（20个中文5个英文）
[1]王晓勇, 周国强, 张荣, 等. 4H-SiC肖特基势垒二极管反向漏电流机制研究[J]. 物理学报, 2020, 69(19): 197303-1-197303-9.
[2]彭燕, 郑凯, 冯志红, 等. 基于热电子发射模型的金纳米线/n-Si肖特基接触特性研究[J]. 物理学报, 2022, 71(13): 137301-1-137301-9.
[3]王玉琦, 常建平, 王占国. 基于Fowler-Nordheim隧穿理论的纳米孔DNA测序方法[J]. 纳米研究(英文版), 2018, 11(4): 1934-1942.
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