磷光络合物Ir(mpiq)2divm器件研究与制备开题报告

 2022-09-07 20:26:54

1. 研究目的与意义

有机发光二极管(OLED)是一种电致发光器件,在外部电压作用下,有机发光材料能够实现发光。

自Tang和Van Slyke的开创性工作以来,OLED技术由于其柔性、应用安全、重量轻、高色纯度、高饱和度、超广角等明显优势在过去的三十年中收到了业界和学术界的极大关注。

如今OLED被认为是未来占据主导地位的照明和平板显示技术。

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2. 课题关键问题和重难点

当前的研究表明,PhOLED的发光层主要是使用混蒸的方式将客体材料与主体材料混合制备薄膜,从而实现高性能发光,而这种方法的问题在于单主体的空穴和电子传输速率不同,不利于实现高效OLED发光性能。

因此,一些课题组采用双主体形成激基复合物再掺杂发光材料来制作器件,不仅提高了电子和空穴在EML层的传输性能,也拓宽了电子和空穴在EML层的复合区域,不仅提高了器件效率,同时也能增加器件的发光寿命。

通过激基复合物可以调节合适的HOMO和LUMO,会降低器件不同层之间的位阻,降低开启电压,减少三线态猝灭导致的效率滚降。

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3. 国内外研究现状(文献综述)

Exciplex在OLED的应用主要包括两个方面,第一个作为荧光或者TADF材料,第二个作为荧光、磷光和TADF材料的主体。

一方面,通过exciplex可以调节主体的HOMO与LUMO,有利于制备高效率OLED器件,有文献报道,Kim等[1]使用NPB: B3PYMPM形成的激基复合物得到红光OLED,它的最大外量子效率为35.6%。

另一方面,使用exciplex作为主体,由于较低的注入势垒,器件的驱动电压一般比传统的主体材料低。

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4. 研究方案

一方面,采用文献所报道的材料,引入HT023和ET024作为激基复合物,两者混蒸结合的形成exciplex可以同时具备良好的电子和空穴传输特性,更有利于电子和空穴在EML层的结合,复合区域变宽,激子的能量能更有效的被利用,EQE也能得到提升;然后,筛选最优的空穴传输层和电子传输层,配合得到最优器件结构;接着,制作激基复合物器件,得到最优的器件结构。

最后,增加和调节OLED器件每层的厚度和位置,来得到最优的红光器件,并测试其发光寿命。

另一方面,对发光材料Ir(mpiq)2divm和Ir(mpiq)2dmbm进行氘代处理,得到Ir(mpiq)2divm-d1和Ir(mpiq)2dmbm-d1,再使用相同的器件结构分别对比其发光寿命,从而对发光材料的氘代处理对器件寿命的影响得出结论。

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5. 工作计划

1.蒸镀法制备HT023: ET024界面型激基复合物器件优化各个层的厚度和材料。

拟采用器件结构:ITO/HATCN (5 nm)/TAPC(30 nm)/HT023: ET024, doped materials (1:1, 10% dpoed, 30 nm)/TmPyPB(40 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm)2.制作多界面激基复合物蓝光器件发光层结构:HT023: ET024, doped materials (1:1, 10% dpoed, 25 nm) 改变HT023和ET024的掺杂比例、发光材料的掺杂比例和发光层的厚度,来获得最优的器件。

3.在该器件结构基础上对比氘代后材料与原材料制备器件的寿命在2的基础上,分别制备发光材料Ir(mpiq)2divm和Ir(mpiq)2dmbm和 Ir(mpiq)2divm-d1和Ir(mpiq)2dmbm-d1的红光器件,并对比氘代前后器件的表征数据。

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