1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）
文 献 综 述1. 概述随着集成电路芯片设计尺寸的不断减小，光学光刻越来越接近其物理分辨的极限，尽管通过193 nm浸没式、双重曝光、双重图形等技术可以将193 nm曝光延续到10 nm工艺节点，但工艺复杂度及成本越来越高。
近年来有研究人员提出了下一代光刻技术的概念，其中较为常见的技术包括纳米压印、大分子自组装、多电子束光刻及极紫外光刻。
在这些技术中较为主流的是大分子自组装。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
1 研究内容分析聚合物表界面能，研究化学组成对被改性聚合物与基底界面的影响，通过掺混离子液体，从而可以得到一种基于聚苯乙烯/聚丙烯酸甲 酯的复合改性型嵌段共聚物，调控离子液体的用量，研究物理掺混离子液体对聚合物的表界面能影响规律。
2 研究手段扫描电镜：观察薄膜表面形貌和相分离结构；小角X射线散射 (SAXS)：检测到共聚物薄膜的整个结构。
3 实验方法简介以乙酸乙酯为溶剂，苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸羟乙酯为单体，AIBN引发剂在90℃下聚合3h，合成聚合物基底，并通过傅里叶红外光谱仪确定改性情况。
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