1. 本选题研究的目的及意义
氧化锌（ZnO）作为一种宽禁带直接带隙半导体材料，具有优异的光学、电学和压电性能，在太阳能电池、发光二极管、气敏传感器等领域有着广泛的应用前景。
氮（N）作为一种常见的掺杂元素，可以有效调节ZnO薄膜的导电类型、光学带隙和光电性能。
本选题旨在通过对ZnO:N薄膜的光学特性进行深入研究，揭示N掺杂对ZnO薄膜光学性能的影响机制，为ZnO:N薄膜在光电器件中的应用提供理论基础。
2. 本选题国内外研究状况综述
近年来，ZnO:N薄膜的光学特性研究受到国内外学者的广泛关注，并取得了一系列重要成果。
1. 国内研究现状
国内学者在ZnO:N薄膜的制备、表征和光学特性研究方面取得了一定的进展。
3. 本选题研究的主要内容及写作提纲
本选题将利用磁控溅射法制备不同氮气流量比的ZnO:N薄膜，通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、荧光光谱仪(PL)等表征手段，系统研究N掺杂对ZnO薄膜的结构、形貌和光学特性的影响，并探讨N掺杂对ZnO薄膜光学性能影响的机制。
1. 主要内容
1.ZnO:N薄膜的制备：利用磁控溅射法在不同氮气流量比下制备ZnO:N薄膜，通过控制溅射时间来控制薄膜厚度。
4. 研究的方法与步骤
本研究将采用以下方法和步骤进行：
1.文献调研：通过查阅国内外相关文献，了解ZnO:N薄膜的制备方法、性能特点、研究现状和发展趋势，为本研究提供理论基础和实验指导。
2.ZnO:N薄膜的制备：采用磁控溅射法在不同氮气流量比下制备ZnO:N薄膜。
通过优化溅射功率、溅射时间、衬底温度、靶材与衬底距离等工艺参数，获得高质量的ZnO:N薄膜。
5. 研究的创新点
本研究的创新点在于系统研究了不同氮气流量比下制备的ZnO:N薄膜的结构、形貌和光学特性的变化规律，并结合理论计算，深入探讨了N掺杂对ZnO薄膜光学性能影响的机制。
6. 计划与进度安排
第一阶段 （2024.12~2024.1）确认选题，了解毕业论文的相关步骤。
第二阶段（2024.1~2024.2）查询阅读相关文献，列出提纲
第三阶段（2024.2~2024.3）查询资料，学习相关论文
7. 参考文献（20个中文5个英文）
[1] 刘欢, 董国波, 刘欣, 等. ZnO薄膜p型掺杂研究进展[J]. 功能材料, 2018, 49(8): 8001-8010.
[2] 张雷, 张吉英, 刘艳玲, 等. ZnO薄膜的制备及其气敏特性研究进展[J]. 传感器与微系统, 2019, 38(10): 1-4.
[3] 王文娟, 许园园, 许少锋, 等. ZnO基薄膜晶体取向及光学性能研究[J]. 材料导报, 2020, 34(S1): 232-235.
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